・ＬＨ００３２の概略等価回路を現在でも入手可能な個別半導体で組んだフラットアンプ部について、反転動作でそのゲイン＆位相−周波数をＬＴＳｐｉｃｅで占ってみます。非反転動作の場合と同じく位相補正Ｃ＝３ｐ、５ｐ、１０ｐ、２０ｐの場合のパラメトリック解析です。 ・なお、β回路が５０９Ωと５．６ｋΩで、５０９Ωが非反転動作の場合と異なっていますが、これはクローズドゲインを１１倍と非反転動作の場合と同じにするためです、

・オープンゲイン（赤）、ループゲイン（青）、クローズドゲイン（緑）とも、高域側に伸びている順に位相補正Ｃ＝３ｐＦ、５ｐＦ、１０ｐＦ、２０ｐＦの場合です。 ・非反転動作の場合との比較の便のため、オープンゲイン（赤）とクローズドゲイン（緑）の位相を反転させています。 ・結果は、ループゲイン（青）の位相が高域で戻っている点が非反転動作の場合と異なりますが、それ以外は非反転動作の場合と寸分違わないようです。

・次は１ＭＨｚ方形波応答です。非反転動作の場合と同様に位相補正Ｃ＝３ｐＦ、５ｐＦ、１０ｐＦ、２０ｐＦの場合のパラメトリック解析です。

・結果は、非反転動作の場合とは位相が反転しているだけで、それ以外は非反転動作の場合と寸分違わないようです。

・次に、スルーレートを観るために１ＭＨｚ±５Ｖの過大入力をした場合の方形波応答です。 ・結果は、位相補正Ｃが３ｐＦ、５ｐＦ、１０ｐＦでは立ち上がりでは殆ど同じになっていること、また、立ち下がりの方は僅かに違うこと、スルーレートも３ｐＦ、５ｐＦ、１０ｐＦでは５０ｎＳで１５Ｖ程度立ち上がっているので１５×２０＝３００Ｖ／ｕＳ程度と、これも非反転動作の場合と同じです。 ・ただ、方形波が立ち上がるまでに非反転動作の場合より長い６０ｎＳ要している点が非反転動作とやや異なる点です。

・以上、結論としては、非反転動作と反転動作間で、アンプの動作に本質的な違いは何もないように思います。 ・明確な違いは、非反転動作の場合アンプの入力インピーダンスが高いのに対して、反転動作は非常に低くなることです。この場合５０９Ωしかありません。 ・また、反転動作は、前段のアンプの出力インピーダンスの影響を受けます。 ・これの対策としては、β回路のインピーダンスを高くするということになります。たとえばこのように１０ｋΩと１１０ｋΩにしてみます。これで入力インピーダンスは１０ｋΩになります。

・が、この場合、このような結果になります。オープンゲインの高域での位相回転が速まり、クローズドゲインの１ｋＨｚ超領域に大きなピークを生じています。 ・この場合位相補正が３ｐＦや５ｐＦでは発振する可能性があります。この場合位相補正は最低でも２０ｐＦが必要でしょう。 ・ただし、これは反転動作だからこうなるのではなく、非反転動作でもβ回路の抵抗値の組み合わせをこのようにすればこうなります。

・以上からすると、動作に本質的違いがないところ、入力インピーダンスが高いこと、β回路のインピーダンスを低く保てること、という非反転動作のメリッを上回る反転動作のメリットはどこにあるのか？　音？　という感じはします。